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美光跃上2年半高!研调:DRAM、NAND供应不足Q3继续涨价
发布日期:2017-06-09 浏览次数: 字号:[ ]
2017-06-09


DRAM、NAND型快闪存储器传出供给不足的现象,而美光股价也一路登高。barron`s.com报导,R.W.Baird分析师TristanGerra发表研究报告指出,据调查,DRAM供给正在逐渐吃紧,DRAM、NAND型快闪存储器的订价则有望在Q3出现1-4%的成长率。 
  DRAM供给吃紧、报价也会在Q2和Q3呈现季增;其中PC内建的DRAM容量预料会在今(2017)年增加10%、服务器则会增加25%。另外,64层3DNAND型快闪存储器扩产速度低于预期,下半年应该会让市况持续出现短缺。  
  6月7日美光股价劲扬2.95%、收于32.5美元,创2015年1月9日以来收盘新高,涨幅居费城半导体指数30支成分股之冠。 
  有消息称,美光科技计划未来二至三年斥资20亿美元,在位在日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新一代DRAM。 
  美光已在这座厂房内增设无尘室,并准备研发13nm芯片的制程技术。该公司已买下多台订价数十亿日圆的尖端芯片制造设备进行研发,预料在DRAM芯片开始量产后,还会添购更多设备。这座工厂原属于尔必达,2013年随着尔必达一起并入美光旗下。  
  目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发,以赶上业界龙头韩国三星电子的脚步。与美光目前采用的16nm制程技术相比,13nm芯片装配在单一晶圆上的数量更多,生产效益预料可提升逾20%。  
  然而,东芝决定出售半导体事业,但竞标者仍处于博弈中,可能让NAND型快闪存储器继续短缺。ShinhanInvestment研究员ChoiDo-yeon曾发表研究报告指出,东芝的3DNAND快闪存储器投资计划势必将因此延后,这会让供给短缺更形恶化,也为三星电子、SK海力士制造更多扩产良机。  
  另一方面,三星电子率先量产18纳米DRAM,遥遥领先同行,美光和SK海力士则不甘示弱,纷纷砸钱要追上三星。
  NikkeiAsianReview、BusinessKorea报导,三星是DRAM龙头,制程领先对手1~2年,2016年下半首先量产18纳米DRAM,计划今年下半推进至15纳米。IHSMarkit估计,今年底为止,三星打算把18纳米DRAM的生产比重提高至30%。业界人士说,三星会以利润优先,不会扩产抢市。  
  三星一马当先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。  
  与此同时,SK海力士也准备在今年下半量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入移动装置用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露,该公司正在研发1yDRAM制程,但是还不确定量产时间。

来源:DIGITIMES

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